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  • MRFE6S9060NR1现货库存

    • 品牌FREESCAL
    • 数量1021
    • 批号11+
    • 封装TO270-2
    • 说明原装原包现货实需详谈 RF功率场效应晶体管N沟道增强模式横向MOSFET专为频率高达1000 MHz的宽带商业和工业应用。高增益和本设备的宽带性能使其非常适用于大型 - 信号,共同 - 在28伏基站设备源放大器应用。 •典型的单载波N - CDMA性能@ 880 MHz的, VDD = 28伏特,
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产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    mrfe6s9060nr1

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管 HV6E 60W TO270-2N FET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

规格书PDF

  • 芯片型号：

    MRFE6S9060NR1

  • PDF资料下载：

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  • 原厂全称：

    Freescaleiscreatingasmarter

  • 原厂简称：

    FREESCALE

  • 页数：

    15

  • 文件大小：

    580 kb

  • 说明：

    RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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