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RD100HHF1 现货库存
- 品牌三菱
- 数量502
- 批号12+
- 封装ROHS
- 说明原装现货特价实需要详询!可在线咨询!专业元器件!高功率和高增益的MOS FET型晶体管。噘>100W,GP>11.5分贝@ VDD =12.5V,F =30MHz的高效率:60%typ.on HF乐队中的应用对于高功率放大器在HF波段移动无线电设备的输出级
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RD100HHF1 元器件
- 品牌
- 数量500
- 批号ROHS
- 封装
- 说明原装现货特价实需要详询!可在线咨询!专业元器件!高功率和高增益的MOS FET型晶体管。噘>100W,GP>11.5分贝@ VDD =12.5V,F =30MHz的高效率:60%typ.on HF乐队中的应用对于高功率放大器在HF波段移动无线电设备的输出级
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RD100HHF1-101 常用库存
- 品牌MITSUBISH
- 数量270
- 批号ROHS+Original
- 封装NA
- 说明专业电子元器件供应链/QQ 350053121 /正纳电子
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RD100HHF1 常用库存
- 品牌三菱
- 数量502
- 批号12+
- 封装ROHS
- 说明原装现货特价实需要详询!可在线咨询!专业元器件!高功
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RD100HHF1 常用库存
- 品牌三菱
- 数量502
- 批号12+
- 封装ROHS
- 说明原装现货特价实需要详询!可在线咨询!专业元器件!高功
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RD100HHF1 常用库存
- 品牌三菱
- 数量502
- 批号12+
- 封装ROHS
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RD100HHF1 常用库存
- 品牌三菱
- 数量502
- 批号12+
- 封装ROHS
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产品属性

类型
描述
型号
rd100hhf1
制造商
MITSUBISHI
制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
功能描述
MOS FET type transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications.

规格书PDF

芯片型号：
RD100HHF1
PDF资料下载：
下载资料
原厂全称：
MITSUBISHI electlic
原厂简称：
MITSUBISHI
页数：
7
文件大小：
179 kb
说明：
MOS FET type transistor specifically designed for HF High power amplifiers applications.

正纳电子

芯片

二极管

三极管

电容器

单片机、电路板

LED

保险器件

RD100HHF1 现货库存

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